logo new

+7 (499) 322 2814 Москва 

+7 (391) 228 7043 Красноярск 

info@krasspec.ru

Одноканальные твердотельные детекторы

Компания HORIBA Scientific предлагает два типа одноканальных детекторов для сканирующих спектрометров — детекторы на основе фотоумножителей и твердотельные детекторы. Для измерений по нескольким каналам с помощью спектрографов выпускается ряд ПЗС-детекторов. Мы также поставляем блоки управления с синхронным усилителем.

Твердотельные детекторы представляют собой оптоэлектронные приборы, служащие для преобразования потока падающих фотонов в электрический сигнал. Эти устройства, спектральный диапазон которых варьируется менее чем от 200 нм до более чем 20 мкм, отличаются высокой чувствительностью, эффективностью, надежностью и низкой стоимостью.

Компания HORIBA Scientific располагает большим количеством твердотельных детекторов для применения в любой сфере. Выпускаются модификации с естественным и термоэлектрическим охлаждением, а также с охлаждением жидким азотом, различающиеся по чувствительности.

Твердотельные детекторы подразделяются на три класса:

  • фотоэмиссионные,
  • фотопроводящие,
  • двухцветные.

Фотоэмиссионные твердотельные детекторы представляют собой высокоскоростные чувствительные устройства, которые не требуют применения синхронных усилителей и модуляторов, за исключением использования в условиях низкой освещенности. Верхняя граница спектрального диапазона таких устройств ограничена длиной волны 5 мкм.

 

ТипОхлаждениеСпектральный диапазонЭквивалентная мощность шумаПримечание
Кремниевый (Si) Без охлаждения 0.2 - 1.1 µm - Без усилителя. Большая площадь 10 x 10 мм. Эквивалентная мощность шума зависит от аналогового входного сигнала.
Германиевый (Ge) Без охлаждения 0.8 - 1.8 µm 7 x 10-13 С предварительным усилителем. Для работы требуется напряжение смещения ± 15 В.
Германиевый (Ge) С термоэлектрическим охлаждением 0.8 - 1.75 µm 5 x 10-14 С предварительным усилителем. Для работы требуется напряжение смещения ± 15 В.
Германиевый (Ge) С охлаждением жидким азотом 0.8 - 1.5 µm 2.5 x 10-15  
На арсениде галлия-индия (InGaAs) Без охлаждения 0.8 - 1.7 µm 6 x 10-14 С предварительным усилителем. Для работы требуется напряжение смещения ± 15 В.
На арсениде галлия-индия (InGaAs) С термоэлектрическим охлаждением 0.8 - 1.65 µm 1 x 10-14 С предварительным усилителем. Для работы требуется напряжение смещения ± 15 В.
На арсениде галлия-индия (InGaAs) С охлаждением жидким азотом 0.8 - 1.6 µm 1 x 10-15 С предварительным усилителем. Для работы требуется напряжение смещения ± 15 В.
На арсениде индия (InAs) Без охлаждения 1 - 3.6 µm 2 x 10-10 С предварительным усилителем. Для работы требуется напряжение смещения ± 15 В.
На арсениде индия (InAs) С термоэлектрическим охлаждением 1 - 3.55 µm 1 x 10-11 С предварительным усилителем. Для работы требуется напряжение смещения ± 15 В.

Фотопроводящие твердотельные детекторы не отличаются такой скоростью и такой чувствительностью, однако их спектральный диапазон достигает 12 мкм и выше. Они используются совместно с модуляторами и синхронными усилителями.

 

ТипОхлаждениеМпектральный диапазонЭквивалентная мощность шумаПримечание
На сульфиде свинца (PbS)) Без охлаждения 1 - 3 µm 2 x 10-12 С предварительным усилителем. Для работы требуется напряжение смещения ± 15 В. Частота модуляции 100–500 Гц.
На сульфиде свинца (PbS) С термоэлектрическим охлаждением 1 - 3 µm 1 x 10-12 С предварительным усилителем. Для работы требуется напряжение смещения ± 15 В. Частота модуляции 100–500 Гц.
На селениде свинца (PbSe) С термоэлектрическим охлаждением 1 - 5 µm 2 x 10-11 С предварительным усилителем. Для работы требуется напряжение смещения ± 15 В. Частота модуляции 1 кГц.
На теллуриде кадмия-ртути (HgCdTe) С термоэлектрическим охлаждением 1 - 5 µm* 1 x 10-11 С предварительным усилителем. Для работы требуется напряжение смещения ± 15 В. Частота модуляции 1 кГц. *Чувствительность к длинам волн может быть изменена за счет сокращения спектрального диапазона.
На теллуриде кадмия-ртути (HgCdTe) С термоэлектрическим охлаждением 1 - 10 µm* 1 x 10-8 С предварительным усилителем. Для работы требуется напряжение смещения ± 15 В. Частота модуляции 2–10 кГц. *Чувствительность к длинам волн может быть изменена за счет сокращения спектрального диапазона.
На теллуриде кадмия-ртути (HgCdTe) С охлаждением жидким азотом 1 - 14 µm* 6 x 10-12 С предварительным усилителем. Для работы требуется напряжение смещения ± 15 В. Частота модуляции 2–14 кГц. *Чувствительность к длинам волн может быть изменена за счет сокращения спектрального диапазона.
На теллуриде кадмия-ртути (HgCdTe) LN Cooled 1 - 20 µm* 2 x 10-11 С предварительным усилителем. Для работы требуется напряжение смещения ± 15 В. Частота модуляции 2–20 кГц. *Чувствительность к длинам волн может быть изменена за счет сокращения спектрального диапазона.

Двухцветные твердотельные детекторы представляют собой «слоеные» детекторы, которые обычно состоят из расположенного спереди кремниевого детектора, за которым находится второй детектор. Кремниевый детектор работает в диапазоне до 1,1 мкм. В области более длинных волн, где он становится прозрачным, в работу вступает второй детектор. Эффективность кремниевого детектора падает примерно на 40 %, в то время как эффективность второго детектора остается на прежнем уровне. Двухцветные детекторы на базе соединений PbS и PbSe требуют использования модулятора и синхронного усилителя, которые также рекомендуются для остальных детекторов.

 

ТипОхлаждениеСпектральный диапазонПримечания
Si/InGaAs Без охлаждения 0.3 - 1.7 µm С предварительным усилителем. Для работы требуется напряжение смещения ± 15 В.
Si/InGaAs С термоэлектрическим охлаждением 0.3 - 1.65 µm С предварительным усилителем. Для работы требуется напряжение смещения ± 15 В.
Si/Ge С термоэлектрическим охлаждением 0.3 - 1.75 µm С предварительным усилителем. Для работы требуется напряжение смещения ± 15 В.
Si/PbS С термоэлектрическим охлаждением 0.3 - 3 µm С предварительным усилителем. Для работы требуется напряжение смещения ± 15 В.
Si/PbSe С термоэлектрическим охлаждением 0.3 - 5 µm С предварительным усилителем. Для работы требуется напряжение смещения ± 15 В.
Si/InAs С термоэлектрическим охлаждением 0.3 - 3.6 µm С предварительным усилителем. Для работы требуется напряжение смещения ± 15 В.
Si/InAs С термоэлектрическим охлаждением 0.3 - 3.55 µm С предварительным усилителем. Для работы требуется напряжение смещения ± 15 В.

Для совместного использования со всеми твердотельными детекторами мы предлагаем корпус для ИК-детектора, обеспечивающий максимальное повышение чувствительности твердотельных детекторов. Корпус оснащен эллиптическим зеркалом, которое обеспечивает концентрацию сигнала в соотношении 6:1 на пути прохождения луча, делающем поворот на 90 градусов. Благодаря зеркальной оптике энергия фокусируется на поверхности детектора при всех длинах волн.

Copyright www.maxx-marketing.net

ООО "Красный спектрометр" – поставщик решений в области спектроскопии. Работаем с системами в широком спектральном диапазоне (от ультрафиолетового диапазона до терагерцового диапазона) для научных и промышленных приложений.